晶體的生成包括晶核形成與晶體生長兩個階段，有“平衡型”和“生長型”兩種生長方式。

　　“平衡型”是指從熱力學角度分析，即對一定體積的粒子，其形狀總是趨向于向表面能最小的晶體形貌方向發展，最后形成平衡形狀。一般在自然條件下，晶體形狀即是平衡形狀。

　　“生長型”是指基于各晶面的動力學參數，在晶體生長階段，生長快的晶面逐漸消失，留下生長慢的晶面形成了晶體的形貌。

　　2.1工藝控制形貌是指在碳酸鈣形成過程中，通過調節碳化溫度、攪拌速度、CO2氣體流速、通氣方式、液相濃度等條件，來控制碳酸鈣不同結晶階段的反應速度，最終達到控制晶體大小與形貌的目的。此種導向技術得到的產品性能穩定，但其技術復雜、要求高、設備投資大。

　　2.2晶形控制劑控制形貌晶形控制劑導向是一種通過在晶體生長過程加入能夠吸附在微晶晶面上的物質或者是在晶體生成中起晶核與模板作用的物質，來影響晶面生長速率的工藝。

　　晶型控制劑影響機理如下：可溶性晶形控制劑，通過改變溶液中的平衡、界面張力以及產生空間位阻效應等來影響碳酸鈣的成核過程。不溶的固相顆?；蚰苌刹蝗茴w粒的晶形控制劑，一般作為模板為晶體的生長起到一定的導向作用。